IT之家 2 月 15 日消息，TechInsights 和 SemiWiki 于 2 月 10 日發(fā)布博文，披露了英特爾 Intel 18A（1.8nm 級(jí)別）和臺(tái)積電 N2（2nm 級(jí)別）工藝上的關(guān)鍵信息。整體而言，Intel 18A 工藝在性能方面更勝一籌，而臺(tái)積電的 N2 工藝則可能在晶體管密度方面更具優(yōu)勢(shì)。

TechInsights 的分析顯示，臺(tái)積電 N2 工藝的高密度 (HD) 標(biāo)準(zhǔn)單元晶體管密度達(dá)到了 313 MTr / mm^2，遠(yuǎn)超 Intel 18A (238 MTr / mm^2) 和三星 SF2 / SF3P (231 MTr / mm^2)。

IT之家注：現(xiàn)代高性能處理器通常混合使用高密度 (HD)、高性能 (HP) 和低功耗 (LP) 標(biāo)準(zhǔn)單元，但目前尚不清楚英特爾和臺(tái)積電的 HP 和 LP 標(biāo)準(zhǔn)單元的性能對(duì)比情況。

TechInsights 認(rèn)為，臺(tái)積電 N2 工藝在 HD 標(biāo)準(zhǔn)單元上具有晶體管密度優(yōu)勢(shì)，但在其他類型的標(biāo)準(zhǔn)單元上優(yōu)勢(shì)可能并不明顯；在性能方面，英特爾的 Intel 18A 工藝將領(lǐng)先于臺(tái)積電的 N2 和三星的 SF2。

但需要注意的是，TechInsights 的評(píng)估方法存在一定爭(zhēng)議，他們以臺(tái)積電的 N16FF 和三星的 14nm 工藝作為基準(zhǔn)，并結(jié)合兩家公司宣布的節(jié)點(diǎn)到節(jié)點(diǎn)的性能改進(jìn)進(jìn)行預(yù)測(cè)，這種方式可能不夠準(zhǔn)確。

Intel 18A 工藝支持 PowerVia 背面供電網(wǎng)絡(luò)，這可能使其在性能和晶體管密度方面優(yōu)于不支持該技術(shù)的臺(tái)積電 N2，但并非所有 18A 芯片都會(huì)使用 PowerVia 技術(shù)。

英特爾計(jì)劃于 2025 年年中開始量產(chǎn) 18A 工藝，首批產(chǎn)品將是 Core Ultra 3 系列“Panther Lake”處理器。

臺(tái)積電的 N2 工藝預(yù)計(jì)將于 2025 年底開始大規(guī)模生產(chǎn)，首批產(chǎn)品預(yù)計(jì)最早將于 2026 年年中上市，大眾市場(chǎng)產(chǎn)品預(yù)計(jì)將于 2026 年秋季上市。三星尚未公布 SF2 工藝的具體量產(chǎn)時(shí)間，僅表示將在 2025 年。